SI4842BDY-T1-GE3
![SI4842BDY-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 120 ֏
от 10 шт. —
2 400 ֏
от 100 шт. —
1 770 ֏
от 500 шт. —
1 310 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 120 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
Qg - заряд затвора | 100 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SI4842BDY-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | SI4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SO-8 |
Техническая документация
Datasheet SI4842BDY-T1-GE3
pdf, 172 КБ