FMMT415TD
![Фото 1/3 FMMT415TD](https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC034038786.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 200 ֏
от 100 шт. —
4 800 ֏
от 500 шт. —
4 440 ֏
1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 3 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 mA at 10 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 10 mA at 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 260 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | FMMT41 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 320 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 330 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |