Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF740PBF-BE3, MOSFET 400V N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3, MOSFET 400V N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 780 ֏

от 10 шт. — 1 340 ֏

от 100 шт. — 1 040 ֏

от 500 шт. — 880 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 780 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007680213

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	10 A
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	125 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7мм
Высота	9.01мм
Размеры	10.41 x 4.7 x 9.01мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.41мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	14 ns
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	50 ns
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	400 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	63 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1400 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	24 ns
Height	9.01 mm
Id - Continuous Drain Current	10 A
Length	10.41 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	SIHF740-E3
Pd - Power Dissipation	125 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	63 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	27 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	50 ns
Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Unit Weight	0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.7 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	125 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Время	задержки включения/выключения-14/50 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Заряд затвора, нКл	63
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	400
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	550
Мощность	рассеиваемая(Pd)-125 Вт
Назначение	управление силовыми цепями
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-4 В
Описание	400V, 10A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Ток утечки	непрерывный(Id)-10 А
Упаковка	TUBE, 50 шт.
Вес, г	1