BPW76B, Phototransistors TO-18 450-1080nm +/-40 deg
![Фото 1/2 BPW76B, Phototransistors TO-18 450-1080nm +/-40 deg](https://static.chipdip.ru/lib/810/DOC043810097.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/263/DOC004263056.jpg)
4 400 ֏
от 10 шт. —
2 910 ֏
от 25 шт. —
2 610 ֏
от 100 шт. —
2 090 ֏
1 шт.
на сумму 4 400 ֏
Описание
Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
Описание Фототранзистор, TO18, 4,7мм, -p макс: 850нм, 70В, 40°
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.40.70.40 |
Type | Chip |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Lens Shape Type | Flat |
Material | Silicon |
Number of Channels per Chip | 1 |
Polarity | NPN |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 80 |
Viewing Orientation | Top View |
Peak Wavelength (nm) | 850 |
Maximum Light Current (uA) | 1200(Typ) |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-206AA |
Mounting | Through Hole |
Diameter | 5.5 |
Package Height | 6.15 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Through Hole |
Техническая документация
Datasheet BPW76B
pdf, 148 КБ