SI1026X-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 305 мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
227 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 45 шт. —
187 ֏
от 89 шт. —
174 ֏
от 177 шт. —
160 ֏
9 шт.
на сумму 2 043 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 305 мА
Технические параметры
| Корпус | SC-89-6 | |
| Brand: | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Dual | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS | |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA | |
| Manufacturer: | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package / Case: | SC-89-6 | |
| Part # Aliases: | SI1026X-GE3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms | |
| Series: | SI1 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | TrenchFET | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 2 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 305 mA | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | SOT-563F | |
| Вес, г | 0.032 |
