VNS1NV04DPTR-E, Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36058 шт., срок 6-9 недель
2 140 ֏
от 10 шт. —
1 740 ֏
от 100 шт. —
1 430 ֏
от 250 шт. —
1 260 ֏
1 шт.
на сумму 2 140 ֏
Посмотреть аналоги5
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
The OMNIFET series of fully auto-protected low-side drivers, are measured on the criteria of ruggedness and improved reliability.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 600 ns |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Drivers: | 2 Driver |
| Number of Outputs: | 2 Output |
| Operating Supply Current: | 150 uA |
| Output Current: | 1.7 A |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Product: | MOSFET Gate Drivers |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Rise Time: | 500 ns |
| Series: | VNS1NV04DP-E |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max: | 24 V |
| Technology: | Si |
| Type: | Low-Side |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
