IXFR24N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 500Вт, ISOPLUS247™
![Фото 1/2 IXFR24N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 500Вт, ISOPLUS247™](https://static.chipdip.ru/lib/450/DOC044450130.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/885/DOC022885694.jpg)
39 700 ֏
от 3 шт. —
32 200 ֏
от 10 шт. —
28 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 39 700 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 500Вт, ISOPLUS247™ Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
Maximum Drain Source Resistance | 490 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | ISOPLUS247 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Q3-Class |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Width | 5.21mm |
Вес, г | 4.57 |