IXTH32N65X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 32А, 500Вт, TO247-3, 400нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 200 ֏
от 3 шт. —
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
от 30 шт. —
5 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 200 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 32А, 500Вт, TO247-3, 400нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 32A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 54nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 135mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 500W |
| Reverse recovery time | 400ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 258 КБ
