IXBH42N170, IGBTs 1700V 75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 800 ֏
от 30 шт. —
21 800 ֏
от 60 шт. —
21 500 ֏
от 120 шт. —
20 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 800 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.8В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 360Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BIMOSFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 177 КБ
