IRFPG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
![Фото 1/5 IRFPG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366840.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/889/DOC024889723.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
1 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
1 500 ֏
от 13 шт. —
1 390 ֏
от 25 шт. —
1 330 ֏
2 шт.
на сумму 3 520 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Технические параметры
Корпус | TO-247-3 | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 20.82 mm | |
Длина | 15.87 mm | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 500 | |
Серия | IRFPG | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-247-3 | |
Ширина | 5.31 mm | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 5Ом | |
Power Dissipation | 125Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 1кВ | |
Непрерывный Ток Стока | 3.1А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5000@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1000 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO | |
Supplier Package | TO-247AC | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 29 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 80(Max) | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 80(Max)@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 980@25V | |
Typical Rise Time (ns) | 24 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 89 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 | |
Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-247AC | |
Вес, г | 5.67 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1748 КБ
Datasheet
pdf, 1263 КБ
Datasheet
pdf, 987 КБ
Datasheet IRFPG30PBF
pdf, 1751 КБ