IRLD014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 22 шт. —
405 ֏
от 44 шт. —
378 ֏
от 100 шт. —
356 ֏
5 шт.
на сумму 2 445 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Технические параметры
Корпус | HVMDIP-4 | |
Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A | |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W | |
Qg - заряд затвора | 8.4 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 110 ns | |
Время спада | 26 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.9 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 17 ns | |
Типичное время задержки при включении | 9.3 ns | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | DIP-4 | |
RoHS | Подробности | |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V | |
Производитель | Vishay | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | HVMDIP | |
Pin Count | 4 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
Width | 6.29mm | |
Automotive | No | |
Configuration | Single Dual Drain | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.7 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@5V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 4 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | DIP | |
Supplier Package | HVMDIP | |
Typical Fall Time (ns) | 26 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4(Max)@5V | |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6.4(Max) | |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.6(Max) | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 400@25V | |
Typical Output Capacitance (pF) | 170 | |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 340 | |
Typical Rise Time (ns) | 110 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 | |
Вес, г | 0.549 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1725 КБ
Datasheet
pdf, 1724 КБ
Datasheet
pdf, 845 КБ
Datasheet IRLD014PBF
pdf, 1728 КБ
Документация
pdf, 1729 КБ