FF450R33T3E3B5BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 317 000 ֏
1 шт.
на сумму 1 317 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
| Continuous Collector Current | 450А |
| DC Ток Коллектора | 450А |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | XHP3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.5В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF450R33T3E3B5BPSA1
pdf, 823 КБ
