FZT651TC, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 100 шт. —
484 ֏
от 500 шт. —
389 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 175МГц |
| Вес, г | 1 |
