Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TPH1R712MD,L1Q, MOSFETs P-Channel Mosfet 20V ...

TPH1R712MD,L1Q, MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2197 шт., срок 6-9 недель

1 780 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 780 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007882128

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналом

МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	5000
Fall Time:	512 ns
Id - Continuous Drain Current:	60 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOP-8
Pd - Power Dissipation:	78 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	182 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.7 mOhms
Rise Time:	14 ns
Series:	TPH1R712MD
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	U-MOSVI
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	1620 ns
Typical Turn-On Delay Time:	27 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	500 mV
Вес, г	0.08