BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 290 ֏
от 2 шт.1 850 ֏
от 5 шт.1 510 ֏
1 шт. на сумму 2 290 ֏
Номенклатурный номер: 8007912089

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC018N04LSGATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для современных электронных схем. Осуществляется монтаж данного транзистора методом SMD, что делает его идеальным выбором для плат с поверхностным монтажом. Устройство способно управлять током стока до 100 А и выдерживает напряжение сток-исток в 40 В, что позволяет использовать его в мощных применениях. Мощность транзистора составляет 125 Вт, а очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0018 Ом, обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь энергии. Для гарантии надежности и долговечности компонента, он заключен в устойчивый к термическим нагрузкам корпус PG-TDSON-8. Транзистор BSC018N04LSGATMA1 является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих проектов с точки зрения мощности и эффективности. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 100
Напряжение сток-исток, В 40
Мощность, Вт 125
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0018
Корпус PG-TDSON-8

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Maximum Continuous Drain Current - (A) 30
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 1.8@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 40
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 2500
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Standard Package Name SON
Supplier Package TDSON EP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 113
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 54@4.5VI113@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 8900@20V
Вес, г 0.5

Техническая документация