IPA50R800CEXKSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
880 ֏
от 10 шт. —
780 ֏
от 50 шт. —
690 ֏
2 шт.
на сумму 2 380 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 7.6A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.72ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 26.4 W |
| Qg - заряд затвора | 12.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 720 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Время спада | 15.9 ns |
| Высота | 16.15 mm |
| Длина | 10.65 mm |
| Другие названия товара № | IPA50R800CE SP001217234 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | 500V CoolMOS™ CE |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPA50R800CEXKSA2
pdf, 955 КБ
Datasheet IPA50R800CEXKSA2
pdf, 1140 КБ
