IRF1503S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 520 ֏
от 2 шт. —
3 000 ֏
от 5 шт. —
2 640 ֏
от 10 шт. —
2 470 ֏
1 шт.
на сумму 3 520 ֏
Описание
Электроэлемент
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 75A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 190 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3.3@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 200000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 130 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 130@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5730@25V |
| Вес, г | 3.667 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ
