SI2319DS-T1-GE3, 40V 2.3A 82m ё@3A,10V 750mW 3V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
334 ֏
от 150 шт. —
280 ֏
от 500 шт. —
255 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 445 ֏
Описание
МОП-транзистор 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Qg - заряд затвора | 11.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2319DS-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 82@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11.3@10V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.3 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 1.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 470@20V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 85 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Вес, г | 0.008 |
