IRF7507TRPBF, транзистор N/P канал 20В 2.4/-1.7А Micro8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
295 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 475 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IRF7507TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники, предназначенный для монтажа SMD в корпусе SO8. Способен работать с током стока до 2,4 А и напряжением сток-исток до 20 В, обладая при этом мощностью 1,25 Вт. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,135 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность. Вид транзистора N+P-MOSFET гарантирует оптимальное сочетание N-канального и P-канального транзисторов в одном корпусе для различных применений. Использование модели IRF7507TRPBF в вашей разработке поможет достигнуть нужных результатов в плотностях тока и напряжения. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.4 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 1.25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.135 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Структура | N/P-каналы | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4/1.7 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
| Корпус | micro8 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.6 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 0.7 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 135/270 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Dual | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A, 1.7 A | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package/Case: | Micro-8 | |
| Part # Aliases: | IRF7507TRPBF SP001555486 | |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC, 8.2 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 135 mOhms, 270 mOhms | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N, P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A, 2.4 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ, 270 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | MSOP | |
| Pin Count | 8 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V, 5.4 nC @ 4.5 V | |
| Width | 3mm | |
| Вес, г | 0.1 |
