IRFIBE30G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 2 шт. —
1 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,4А, 35Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.1A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.3A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFIBE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRFIBE30 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Вес, г | 0.454 |
Техническая документация
Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 751 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 1400 КБ
IRFIBE30G
pdf, 1401 КБ
Документация
pdf, 1399 КБ
