EPCQ64ASI16N, , микросхема памяти , SRAM, 64 Мбит, 100 МГц, -40…+85 °С, 3.3 В, 100 мкА, корпус SOIC-16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 800 ֏
от 2 шт. —
8 200 ֏
от 4 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 800 ֏
Описание
МИКРОСХЕМЫ\Микросхемы памяти
Технические параметры
| Корпус | SOIC-16 | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 3 | |
| Диапазон рабочих температур | -40…+85 °С | |
| Напряжение питания | 2.7…3.6(max); Uраб.=3, 3 В | |
| Память | Flash 64 Mbit | |
| Потребляемый ток | 100(max)мкА | |
| Тип | М/c ППВМ-конфигурационная память серии EPCQ | |
| Тип монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/44 | |
| Упаковка | Tube, 44 шт | |
| Частота | 100(max)МГц | |
| Вес, г | 5.058 |
Техническая документация
Документация
pdf, 436 КБ
