BSS138BKW.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 415 шт.
от 1000 шт. —
28 ֏
от 4000 шт. —
25 ֏
Добавить в корзину 415 шт.
на сумму 14 940 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET SC703
Технические параметры
| Корпус | SC703 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW | |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 480 mV | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 5 ns | |
| Время спада | 20 ns | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | BSS138BKW | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Lead Finish | Tin | |
| Max Processing Temp | 260 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C | |
| RDS-on | 1600@10V mOhm | |
| Typical Fall Time | 20 ns | |
| Typical Rise Time | 5 ns | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | |
| Вес, г | 0.039 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BKW,115
pdf, 1580 КБ
Datasheet BSS138BKW.115
pdf, 1390 КБ
