IXFR32N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 900 ֏
от 3 шт. —
47 600 ֏
от 10 шт. —
41 700 ֏
от 30 шт. —
35 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 900 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Pd - рассеивание мощности | 570 W |
| Qg - заряд затвора | 195 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 300 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFR32N100 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 4.63 |
Техническая документация
Datasheet IXFR32N100Q3
pdf, 140 КБ
