IPW80R280P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 500 ֏
1 шт.
на сумму 6 500 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 17A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:17A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.24ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.24Ом |
| Power Dissipation | 101Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 101Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.24Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Package Type | PG-TO 247-3 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IPW80R280P7XKSA1
pdf, 930 КБ
Datasheet IPW80R280P7XKSA1
pdf, 949 КБ
