IPD50R2K0CEAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
530 ֏
от 10 шт. —
454 ֏
2 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 550V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.6 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2000@13V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 33000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Process Technology | CoolMOS CE |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 124@100V |
| Drain Source On State Resistance | 1.8Ом |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CE |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 13В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.6А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS™ CE |
| Вес, г | 0.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1635 КБ
