BSD235CH6327XT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
352 ֏
от 10 шт. —
272 ֏
от 100 шт. —
213 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 260 ֏
Описание
Электроэлемент
Dual N/P-Channel MOSFET, 530 mA, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Infineon BSD235CH6327XTSA1
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2 S, 700 mS |
| Height | 0.9 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 950 mA, 530 mA |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSD235CH6327XTSA1 SP000917610 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 340 pC, -400 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 266 mOhms, 745 mOhms |
| Rise Time | 3.6 ns, 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSD235 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-12 V, +/-12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV, -1.2 V |
| Width | 1.25 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 950 mA, 530 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 340 pC, - 400 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 266 mOhms, 745 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV, 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.6 ns, 5 ns |
| Время спада | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | BSD235C BSD235CH6327XTSA1 H6327 SP000917610 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S, 700 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSD235 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 495 КБ
