BSD840NH6327XTSA1
![Фото 1/3 BSD840NH6327XTSA1](https://static.chipdip.ru/lib/860/DOC043860146.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC026368601.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515892.jpg)
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
300 ֏
от 10 шт. —
220 ֏
от 100 шт. —
147 ֏
2 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSD840NH6327XTSA1 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для использования в электронных схемах. Этот транзистор обеспечивает ток стока 0,88 А и работает при напряжении сток-исток 20 В, что делает его подходящим для широкого спектра областей применения. С монтажом типа SMD и мощностью 0,5 Вт, он идеально подходит для поверхностного монтажа на печатных платах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,4 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус SOT363 способствует компактному дизайну и удобству в использовании. Повторное использование кода товара BSD840NH6327XTSA1 в тексте позволяет уточнить, что модель BSD840NH6327XTSA1 отличается надежностью и долговечностью, делая ее важным компонентом в любом проекте. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 0.88 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.4 |
Корпус | SOT363 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 2 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 9000 |
Fall Time | 900 ps, 900 ps |
Forward Transconductance - Min | 2.5 S, 2.5 S |
Height | 0.9 mm |
Id - Continuous Drain Current | 880 mA, 880 mA |
Length | 2 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-363-6 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BSD840N BSD840NH6327XT H6327 SP000917654 |
Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 260 pC, 260 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms, 270 mOhms |
Rise Time | 2.2 ns, 2.2 ns |
RoHS | Details |
Series | BSD840 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 7.8 ns, 7.8 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 1.9 ns, 1.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V, 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV, 300 mV |
Width | 1.25 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 880 mA |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 0.26 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 2.2 ns |
Время спада | 0.9 ns |
Высота | 0.9 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | BSD840N BSD84NH6327XT H6327 SP000917654 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSD840 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 7.8 ns |
Типичное время задержки при включении | 1.9 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Ширина | 1.25 mm |
Base Product Number | BSD840 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 880mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power - Max | 500mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 880mA, 2.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6ВµA |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 880 mA |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363 |
Pin Count | 6 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ
Datasheet BSD840NH6327XTSA1
pdf, 436 КБ