RGS50TSX2DGC11, IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT
![RGS50TSX2DGC11, IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/564/DOC006564231.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 шт., срок 6-9 недель
8 100 ֏
от 25 шт. —
6 200 ֏
от 100 шт. —
5 300 ֏
от 450 шт. —
4 920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
Power Dissipation | 395Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS50TSX2DGC11
pdf, 988 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг