IKWH60N65WR6XKSA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon's 60 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR6 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247-3-HCC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKWH60N65WR6XKSA1
pdf, 1647 КБ
