FF600R07ME4B11BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
196 000 ֏
от 10 шт. —
160 000 ֏
от 20 шт. —
157 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 196 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
FF600R07ME4_B11, SP005422470
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 700А |
| DC Ток Коллектора | 700А |
| Power Dissipation | 1.8кВт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.8кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | AG-ECONOD-411 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF600R07ME4B11BOSA1
pdf, 717 КБ
