CAT25M01VI-GT3
1 600 ֏
от 10 шт. —
1 380 ֏
от 25 шт. —
1 310 ֏
от 50 шт. —
1 260 ֏
1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Посмотреть аналоги9
Описание
EEPROM 1 МБ SPI SER CMOS EEPROM
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | EEPROM |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Максимальная тактовая частота | 10 MHz |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение питания - макс. | 3 mA, 5.5 V |
| Напряжение питания - мин. | 1.8 V |
| Организация | 128 k x 8 |
| Подкатегория | Memory Data Storage |
| Рабочее напряжение питания | 1.8 V to 5.5 V |
| Размер памяти | 1 Mbit |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CAT25M01 |
| Сохранение данных | 100 Year |
| Тип интерфейса | SPI |
| Тип продукта | EEPROM |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Clock Frequency | 10MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Memory Format | EEPROM |
| Memory Interface | SPI |
| Memory Size | 1Mb(128K x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В C ~ 85В C(TA) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.209", 5.30mm Width) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | EEPROM |
| Voltage - Supply | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 5ms |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 314 КБ
