IRF9530PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 12A 88Вт 0,3Ом TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
630 ֏
от 300 шт. —
520 ֏
от 500 шт. —
474 ֏
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 21 250 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 12A 88Вт 0,3Ом TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO220AB |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 300 |
| Структура | P-канал |
| Температура, С | -55…+175 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7.2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 154 КБ
IRF9530 Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF9530
pdf, 153 КБ
