IRFP27N60KPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 500Вт, TO247AC
![Фото 1/9 IRFP27N60KPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 500Вт, TO247AC](https://static.chipdip.ru/lib/492/DOC044492261.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC028959609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181900.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/122/DOC036122786.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC040668531.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC040668535.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC040668539.jpg)
6 800 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
4 850 ֏
от 100 шт. —
4 020 ֏
от 200 шт. —
3 640 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 34 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой IRFP27N60KPBF от компании VISHAY представляет собой высокомощный компонент типа N-MOSFET, идеально подходящий для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Этот транзистор обладает током стока 27 А и напряжением сток-исток 600 В, что позволяет использовать его в схемах с высокими электрическими нагрузками. С мощностью до 500 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,18 Ом, он обеспечивает эффективную и надежную работу в широком спектре применений. Корпус TO247AC гарантирует удобство установки и долговечность использования. Найдите IRFP27N60KPBF в нашем ассортименте и убедитесь в его превосходных характеристиках. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 27 |
Напряжение сток-исток, В | 600 |
Мощность, Вт | 500 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.18 |
Корпус | TO247AC |
Технические параметры
Base Product Number | IRFP27 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 27A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 16A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
FET Feature | - |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Series | - |
Время | задержки включения/выключения-110/38 нс |
Емкость, пФ | 4660 |
Заряд затвора, нКл | 180 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 27 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 220 |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-500 Вт |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3 В |
Описание | N-Channel 600 V 27A(Tc)500W(Tc)Through Hole TO-247AC |
Способ монтажа | Through Hole |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Ток утечки | непрерывный(Id)-27 А |
Упаковка | TUBE, 25 шт. |
Вес, г | 4.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 181 КБ
Datasheet IRFP27N60KPBF
pdf, 208 КБ
Документация
pdf, 205 КБ
Datasheet IRFP27N60K, SiHFP27N60K
pdf, 186 КБ