FP15R06W1E3BOMA1, Модуль Trans IGBT N-CH 600V 22A 81000mW 23Pin EASY1B Tray
![Фото 1/2 FP15R06W1E3BOMA1, Модуль Trans IGBT N-CH 600V 22A 81000mW 23Pin EASY1B Tray](https://static.chipdip.ru/lib/129/DOC044129834.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/259/DOC047259904.jpg)
44 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 800 ֏
Описание
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 600V 22A 81000mW 23Pin EASY1B Tray Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Base Product Number | FP15R06 -> |
Configuration | Three Phase Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 22A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 830pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
Package | Bulk |
Package / Case | Module |
Power - Max | 81W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 22 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 81 W |
Package Type | Module |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FP15R06W1E3BOMA1
pdf, 944 КБ