IRLB8721PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 62А, 65Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
710 ֏
от 200 шт. —
520 ֏
от 500 шт. —
455 ֏
10 шт.
на сумму 9 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 62А, 65Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Qg - заряд затвора | 7.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 93 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HEXFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.1 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 62 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.7 mOhms |
| Rise Time | 93 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.1 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
| Width | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 290 КБ
