MMBT3904FZ-7B, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 200 мА, 925 мВт, X2-DFN0606, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
251 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
185 ֏
от 2500 шт. —
150 ֏
от 5000 шт. —
134 ֏
100 шт.
на сумму 25 100 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 350 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коммерческое обозначение: | MMBT3904 |
Конфигурация: | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 300 |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 200 mA |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 300 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток: | 200 mA |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: | 10000 |
Серия: | MMBT3904FZ |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | DFN0606-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet MMBT3904FZ-7B
pdf, 460 КБ