IXTH1N450HV, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 4,5кВ, 1А, 520Вт, TO247-3, 1,75мкс
![Фото 1/2 IXTH1N450HV, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 4,5кВ, 1А, 520Вт, TO247-3, 1,75мкс](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
56 100 ֏
от 3 шт. —
48 500 ֏
от 10 шт. —
42 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 56 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 4,5кВ, 1А, 520Вт, TO247-3, 1,75мкс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 1A |
Drain-source voltage | 4.5kV |
Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
Gate charge | 46nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 80Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 520W |
Reverse recovery time | 1.75µs |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 214 КБ