1N5408G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
316 ֏
от 10 шт. —
240 ֏
от 100 шт. —
164 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
Электроэлемент
Описание Диод: импульсный, THT, 1кВ, 3А, Ifsm: 200А, DO27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА Характеристики Категория | Диод |
Тип | высоковольтный |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1200 |
Height | 5.3 mm(Max) |
If - Forward Current | 3 A |
Ir - Reverse Current | 10 uA |
Length | 9.5 mm(Max) |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Max Surge Current | 200 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | DO-201AD |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | - |
Product | Rectifiers |
Product Category | Rectifiers |
Recovery Time | - |
RoHS | Details |
Series | 1N5408 |
Termination Style | Through Hole |
Type | Standard Recovery Rectifiers |
Unit Weight | 0.038801 oz |
Vf - Forward Voltage | 1 V |
Vr - Reverse Voltage | 1000 V |
Width | 5.3 mm(Max) |
Diode Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DO-201AD |
Maximum Continuous Forward Current | 3A |
Mounting Type | Through Hole |
Diameter | 5.3mm |
Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
Pin Count | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 200A |
Diode Type | Silicon Junction |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Diode Technology | Silicon Junction |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1013 КБ
Документация
pdf, 156 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ