BSZ065N03LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
750 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 30 шт. —
560 ֏
2 шт.
на сумму 2 040 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 6.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2100 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 670@15V |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Pd - рассеивание мощности | 26 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| Время спада | 2.4 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Другие названия товара № | BSZ065N03LS SP000799084 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 34 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 26 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TDSON |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.2 nC @ 4.5 V |
| Width | 3.4mm |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 6180 КБ
Datasheet
pdf, 695 КБ
Datasheet BSZ065N03LSATMA1
pdf, 920 КБ
