SI4840BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 19А, Idm: 50А, 3,8Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
720 ֏
от 500 шт. —
610 ֏
от 2500 шт. —
540 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 42 500 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 19А, Idm: 50А, 3,8Вт, SO8
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.56 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.27 |
