IPW60R024CFD7XKSA1

Фото 1/3 IPW60R024CFD7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 300 ֏
от 2 шт.23 200 ֏
от 5 шт.22 000 ֏
от 10 шт.21 200 ֏
1 шт. на сумму 24 300 ֏
Номенклатурный номер: 8008595555

Описание

Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 600V, 77A, 150Deg C, 320W Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW60R024CFD7XKSA1

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 77 A
Pd - рассеивание мощности 320 W
Qg - заряд затвора 183 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IPW60R024CFD7 SP002621050
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 240
Серия IPW60R024CFD7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.019Ом
Power Dissipation 320Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции CoolMOS CFD7
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 77А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 320Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.019Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 360 A
Maximum Drain Source Resistance 0.024 Ω
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 2
Package Type TO-247
Pin Count 3
Series CoolMOS CSFD
Вес, г 8.407

Техническая документация

Datasheet IPW60R024CFD7
pdf, 1025 КБ