IPB067N08N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 520 ֏
от 2 шт. —
2 980 ֏
от 5 шт. —
2 670 ֏
от 10 шт. —
2 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 520 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPB067N08N3GATMA1 от производителя INFINEON – высокопроизводительное устройство с монтажом типа SMD, предназначенное для современных электронных схем. Он обладает током стока до 80 А и напряжением сток-исток 80 В, что обеспечивает его универсальность в использовании. Мощность транзистора достигает 136 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0067 Ом гарантирует высокую эффективность. Модель построена на N-MOSFET технологии и заключена в надежный корпус PG-TO263-3. Транзистор IPB067N08N3GATMA1 – ваш выбор для задач, где требуется надежность и мощность. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 80 |
| Напряжение сток-исток, В | 80 |
| Мощность, Вт | 136 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0067 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 6.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 80 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 136000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 42@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2890@40V |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 80 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 136000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 42@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2890@40V |
| Typical Rise Time (ns) | 66 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Вес, г | 1.659 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1032 КБ
Документация
pdf, 1013 КБ
