FZT653TA, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
![Фото 1/9 FZT653TA, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/440/DOC018440907.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166733.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC003306393.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/917/DOC037917304.jpg)
194 ֏
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 51 шт. —
159 ֏
от 102 шт. —
146 ֏
от 204 шт. —
137 ֏
11 шт.
на сумму 2 134 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
Максимальная рабочая частота | 175 МГц | |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V | |
Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V | |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В | |
Тип корпуса | SOT-223 | |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт | |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
Ширина | 3.7мм | |
Максимальный пост. ток коллектора | 2 A | |
Высота | 1.65мм | |
Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм | |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 | |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 6.7мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Производитель | DiodesZetex | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Тип транзистора | NPN | |
Число контактов | 3 + Tab | |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Type | NPN | |
Product Category | Bipolar Power | |
Material | Si | |
Configuration | Single Dual Collector | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 120 | |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 | |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 | |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@100mA@1A | |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A | |
Maximum DC Collector Current (A) | 2 | |
Minimum DC Current Gain | 25@2A@2V|70@50mA@2V|100@500mA@2V|55@1A@2V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 | |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 175(Typ) | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Automotive | Yes | |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 | |
Standard Package Name | SOT-223 | |
Supplier Package | SOT-223 | |
Pin Count | 4 | |
Military | No | |
Mounting | Surface Mount | |
Package Height | 1.65(Max) | |
Package Length | 6.7(Max) | |
Package Width | 3.7(Max) | |
PCB changed | 3 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Pd - рассеивание мощности | 2 W | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Single | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.23 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | FZT653 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Diodes Incorporated | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Base Product Number | FZT653 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 175MHz | |
HTSUS | 8541.29.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
Power - Max | 2W | |
REACH Status | REACH Affected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | SOT-223 | |
Transistor Type | NPN | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V | |
Maximum DC Collector Current | 2A | |
Pd - Power Dissipation | 2W | |
Maximum Collector Base Voltage | 120 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 175 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2 W | |
Package Type | SOT-223(SC-73) | |
Вид | NPN | |
Тип | биполярный | |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT653
pdf, 635 КБ
Datasheet FZT653TA
pdf, 966 КБ
Datasheet FZT653TA
pdf, 654 КБ
Datasheet FZT653TA
pdf, 630 КБ