3SK293(TE85L,F)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

41219 шт., срок 7-9 недель

630 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 260 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8008716112

Бренд: Toshiba

РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V

Id - непрерывный ток утечки	30 mA
Pd - рассеивание мощности	100 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	РЧ МОП-транзисторы
Конфигурация	Dual
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Рабочая частота	800 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	3SK293
Технология	Si
Тип	RF Small Signal MOSFET
Тип продукта	RF MOSFET Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-343-4
Усиление	22.5 dB
Brand	Toshiba
Configuration	Dual
Factory Pack Quantity	3000
Gain	22.5 dB
Id - Continuous Drain Current	30 mA
Manufacturer	Toshiba
Mounting Style	SMD/SMT
Operating Frequency	800 MHz
Package / Case	SOT-343-4
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	100 mW
Product Category	RF MOSFET Transistors
RoHS	Details
Series	3SK293
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Type	RF Small Signal MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12.5 V