RGW40TS65GC11, IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
355 шт., срок 6-9 недель
5 600 ֏
от 10 шт. —
4 270 ֏
от 25 шт. —
3 340 ֏
от 250 шт. —
2 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
