IRLR014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A

Фото 1/3 IRLR014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
307 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 21 шт.276 ֏
от 42 шт.263 ֏
от 75 шт.249 ֏
7 шт. на сумму 2 149 ֏
Номенклатурный номер: 8008760722

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Id - непрерывный ток утечки 7.7 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 8.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 110 ns
Время спада 26 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 3.4 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 17 ns
Типичное время задержки при включении 9.3 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 7.7 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type DPAK(TO-252)
Вес, г 0.61

Техническая документация

Datasheet
pdf, 817 КБ
Datasheet
pdf, 816 КБ