IRLR014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
![Фото 1/3 IRLR014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461948.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/359/DOC021359053.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
307 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 21 шт. —
276 ֏
от 42 шт. —
263 ֏
от 75 шт. —
249 ֏
7 шт.
на сумму 2 149 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A | |
Pd - рассеивание мощности | 25 W | |
Qg - заряд затвора | 8.4 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 110 ns | |
Время спада | 26 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.4 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 17 ns | |
Типичное время задержки при включении | 9.3 ns | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-252-3 | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Вес, г | 0.61 |