IRF540NPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 ֏
от 50 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
710 ֏
от 500 шт. —
540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 33А, 140Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.69мм |
| Высота | 8.77мм |
| Размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.54мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 39 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 44 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Qg - заряд затвора | 47.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | SP001561906 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Width | 4.69mm |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-130 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Описание | 100V, 33A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Заряд | затвора(Qg)-71 нКл |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-33 A |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-44 мОм |
| Вес, г | 99 |
Техническая документация
Datasheet IRF540NPBF
pdf, 150 КБ
IRF540n datasheet
pdf, 102 КБ
Документация
pdf, 162 КБ
Datasheet IRF540NPBF
pdf, 153 КБ
