Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › No trademark › Транзистор IRF7341, тип N,корпус SO-8 ,IR

Транзистор IRF7341, тип N,корпус SO-8 ,IR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт. с центрального склада, срок 9-11 дней

1 790 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 790 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8008923582

Бренд: Net torgovoj marki

Описание

MOSFET, DUAL N CH, 55V, 4.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.05
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	7.9
Корпус	so-8
Пороговое напряжение на затворе	1
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Заряд	затвора(Qg)-24 нКл
Максимально допустимое напряжение	сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальный ток	Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-4.7 A
Мощность	рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1В
Описание	55V, 4.7A
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора(Rds)-43 мОм
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	МОП-Транзистор, кремниевый, 2 N-канала
Упаковка	REEL, 4000 шт.
Вес, г	0.166