IPSA70R2K0P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
840 ֏
от 10 шт. —
740 ֏
от 75 шт. —
640 ֏
2 шт.
на сумму 2 300 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 3A, TO-251; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):1.64ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 400V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 400V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 17.6W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-347 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 17.6 W |
| Qg - заряд затвора | 3.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.64 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Время спада | 70 ns |
| Другие названия товара № | IPSA70R2K0P7S SP001664770 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PG-TO-251-3 |
| Base Product Number | IPSA70 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.64Ом |
| Power Dissipation | 17.6Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 17.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.64Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.7833 |
Техническая документация
Datasheet IPSA70R2K0P7SAKMA1
pdf, 868 КБ
Datasheet IPSA70R2K0P7SAKMA1
pdf, 1031 КБ
Datasheet IPSA70R2K0P7SAKMA1
pdf, 869 КБ
