BCP53TA, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А

Фото 1/3 BCP53TA, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
84 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 116 шт.71 ֏
от 231 шт.62 ֏
от 462 шт.58 ֏
24 шт. на сумму 2 016 ֏
Номенклатурный номер: 8008959840
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А

Технические параметры

Корпус SOT-223
Pd - рассеивание мощности 2000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP53
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Вес, г 0.16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 346 КБ