BCP53TA, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А
![Фото 1/3 BCP53TA, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/440/DOC018440907.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
84 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 116 шт. —
71 ֏
от 231 шт. —
62 ֏
от 462 шт. —
58 ֏
24 шт.
на сумму 2 016 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | BCP53 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Diodes Incorporated | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 346 КБ